上海公司动态
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上海良正阀门供应GL41H-16Q Y型过滤器 过滤精度高 滤芯孔径均匀,加厚阀体,抗压抗裂精铸工艺铸造,加厚壳体,抗压抗裂性 采用球墨铸铁材质,经久。适用于各种行业泵房、消防、过滤系统、电力系统.轻纺、造纸、水利制造行业等。阅读详情
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上海良正阀门供应J11W-16T铜丝扣截止阀 产品概述:J11W-16T黄铜扣截止阀是一种接通或切断管路的闭路阀门。 上海良正阀门供应J11W-16T铜丝扣截止阀 技术参数: 产品型号:J11W-16T 公称压力:1.6MPa 工作介质:水、气、油品 非腐蚀性液体 工作温度:--20~100℃ 管螺纹符合标准阅读详情
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上海伯东客户某高校使用国产品牌离子束溅射镀膜机用于金属薄膜制备, 工艺過程中, 国产离子源钨丝仅使用 18个小时就会烧断, 需要中断镀膜工艺更换钨丝, 无法满足长时间离子束溅射镀膜的工艺要求, 导致薄膜质量低的情况. 客户需要离子源的稳定工作时间不低于 48个小时, 经过伯东推荐最终改用美国 KRi 射频离子源 RFICP 100 替换原有的国产离子源, 单次工艺时间可以达到数百小时, 完全符合客户长时间镀膜的工艺要求, 维持高稳定离子束溅射工艺获得高品质薄膜.阅读详情
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上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD.阅读详情
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上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 系列, 提供高电流低能量宽束型离子束, KRi 霍尔离子源可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护, 安装于各类真空设备中, 例如 e-beam 电子束镀膜机, load lock, 溅射系统, 分子束外延, 脉冲激光沉积等, 实现 IBAD 辅助镀膜的工艺.阅读详情
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通过使用上海伯东美国 KRi 离子源可实现基板清洁和加速镀膜材料的溅射速度, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密, 膜基附着力更好, 膜层不易脱落. 其中射频离子源提供高能量, 低浓度的离子束, 离子源单次工艺时间更长, 适合多层膜的制备和离子溅镀镀膜工艺.阅读详情
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上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 40 成功应用于氧化物薄膜及异质结制备系统, 协助客户完成 MgO, Y2O3, Al2O3 等金属氧化物在 6寸单晶硅上均匀沉积多层膜的需要, 单晶硅镀氧化薄膜的工艺过程, 用于研发磁学薄膜, 半导体薄膜, 光学薄膜和高温超导薄膜等.阅读详情
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上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大口径射频离子源 RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE 离子束蚀刻机, 实现 300mm 和 200 mm 硅片蚀刻, 刻蚀 均匀性(1 σ)达到< 1%. KRi 离子源可以用来刻蚀任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体, 超导体等.阅读详情
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上海伯东美国 Gel-Pak 新产品 Gel-ProbeTM 胶膜提供了探针台清洁应用的有效解决方案. Gel-Pak 研发的探针抛光和除碎屑胶膜, 可以广泛应用在探针台参数测试和原片测试中, 延长探针卡使用寿命的同时, 也提升产率并减少停机时间.阅读详情
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